ME600 は、ピエゾ抵抗方式を採用したセラミック圧力センサで、厚膜技術によりホイーストンブリッジをセラミックダイアフラムの片面に直接形成しています。これにより、高い安定性と優れた再現性を実現しています。ダイアフラムと外周支持部が一体となったモノリシック構造を採用しており、接合部を持たないため、圧力負荷に強く、高い信頼性と長寿命を実現しています。オプションとして基板上にNTC温度センサを搭載することができ、システム側での温度補償やドリフト補正に対応可能です。Al2O3（アルミナ）セラミック製であることから、優れた耐腐食性・耐薬品性・機械的強度・生体適合性を有しています。このため、水素などの脆化を引き起こす媒体や、高い信頼性が求められる半導体・真空プロセス用途に最適な圧力センサです。
特長
- 圧力レンジ
- 0-2 ～ 0-600[bar]
- 0-0.2 ～ 0-60[MPa]
- 0-29 ～ 0-8, 702[psi]
- 出力：差動 mV/V
- 製品径：φ18.0mm
- 優れた耐腐食性・耐薬品性・機械的強度・生体適合性・摩耗性
- Al2O3（アルミナ）96%
- ゲージ圧対応
アプリケーション
- 水素ガス測定
- 半導体製造装置
- 真空プロセス
- 化学・薬品プロセス
- 医療用計測装置
資料ダウンロード
ME600 データシート（英文）PDF － 946.21 KB
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