Smarter Thermal Management Through SiC and Heatsink Collaboration

SiC パワー半導体と高性能ヒートシンクのコラボによる熱対策ソリューション

 

高効率なパワー制御が求められる現代の産業機器や車載機器では、SiC(シリコンカーバイド)パワー半導体の採用が進んでいます。しかし、高電力を扱うこれらのデバイスでは発熱が避けられず、適切な放熱設計が不可欠です。SiC パワー半導体と高性能ヒートシンクを組み合わせることで、熱対策と信頼性を両立した最適なソリューションをご提案します。

SiC パワー半導体と高性能ヒートシンク

特長

  • Microchip パワー半導体製品のディスクリート品に対応
  • グローバル電子製 標準/カスタムヒートシンク(例:16PB056-01032、20PB026-01032)との最適組み合わせ
  • お客様の使用条件に応じた熱設計サポート
  • 製品寿命・性能を維持するための放熱最適化
  • スペース制約にも対応可能な小型設計提案

アプリケーション

  • インバータ・コンバータ
  • 太陽光発電システム・蓄電池装置
  • 産業用モータ駆動装置
  • EV/HEV 向け電源モジュール
  • 通信基地局・UPS システム

最適なヒートシンクのサイズ例

検討対象 品種 熱抵抗値
℃/W
当社ヒートシンク型番 熱抵抗値
℃/W
W H L 包絡体積
mm3
APT20M38BVRG Si 8.79 16PB056-01032 7.42 56.2 16.0 32.0 28,774
MSC025SMA120B SiC 15.6 16PB026-01032 13.64 26.2 16.0 32.0 13,414
A社 SiC 10.5 17PB046-01035 9.58 46.2 17.0 35.0 27,489
MSC025SMA120B SiC 12.61 20PB026-01032 11.51 26.2 20.0 32.0 16,768
B社 SiC 9.65 17PB046-01035 9.58 46.2 17.0 35.0 27,489
MSC025SMA120B SiC 11.57 20PB026-01032 11.51 26.2 20.0 32.0 16,768

※ 検討時の条件:消費電力 Max、周囲温度 25℃、電力ロス分は 10%、TO-247 パッケージでの熱抵抗値を使用

熱設計による最適形状提案

簡易計算から熱性能シミュレーション(Solid Works Flow Simulation)の活用まで、お客様のご要望に応じた熱設計と、ご提案が可能です。 総削り出しによる製作は、形状の自由度は非常に高い一方、一般的な加工品と比較すれば割高です。条件や結果によっては削り出しではなく、 弊社カタログ掲載の材料ご使用によるご提案が可能な場合もございますので、まずご相談下さい。

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Microchip-Technology:SiC×ヒートシンクコラボ提案資料-日本語

 

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