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N- and P-Channel Enhancement-Mode Dual MOSFET

高耐圧、低スレッショルド N・P チャンネル MOSFET TC6215

　

TC6215 は、高耐圧、低スレッショルドNチャネルおよびPチャンネル MOSFET で構成されており、パッケージは 8-Lead SOIC です。各 MOSFET のゲート-ソース間はバックトゥーバック型のツェナーダイオードでクランプされています。

オン抵抗（RDS(ON)）が低く、下限 4.0V ゲートドライブまで保証されており、これは標準の 5.0V CMOS ロジックでの直接ドライブを許容します。Micochip のバーチカルDMOS FET は、非常に低いスレッショルド電圧、高い降伏電圧、高い入力インピーダンス、低い入力容量および高速性が求められるさまざまな、スイッチングや増幅アプリケーションに適しています。

特長

  • バックトゥーバック型ツェナーダイオード内蔵
  • 低オン抵抗（RDS(ON)）により 4.0V ゲートドライブ可能
  • 低スレッショルド電圧
  • 絶縁・独立したNチャンネル、Pチャンネル
  • 低入力容量
  • 高速スイッチング特性
  • 二次降伏現象なし
  • 低入出力リーク電流

アプリケーション例

  • 高電圧パルサー
  • アンプ
  • バッファ
  • ピエゾ素子ドライバ
  • 汎用ラインドライバ
  • ロジックレベルインターフェース
　

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